Datenblatt | |
---|---|
Bauform | |
Verpackungseinheit | |
Hersteller | |
Artikeltyp |
Produkt-Eigenschaften
Polarität | |
pol | N |
Drain-Source-Spannung | |
VDS | 30 V |
Drainstrom | |
ID | 5.600 A |
Einschaltwiderstand | |
RDSon | 0.0230 Ω |
@ ID | 5.600 A |
@ VGS | 10 V |
Sperrschicht Temperatur | |
Tjmax | 150 °C |
Verlustleistung | |
Ptot | 1.250 W |
Drain-Spitzenstrom | |
IDM | 22 A |
Schwellspannung | |
VGSth | 2.1 V |
Einschaltzeit | |
ton | 40 ns |
Ausschaltzeit | |
ton | 40 ns |
Ähnliche Produkte
AEC-Q101
MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 60V, 4A, 57mΩ, 150°C, AEC-Q101
Commercial/Industrial
MOSFET, SO-8, N, 90V, 8A, 75mΩ, 150°C
AEC-Q101
MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 100V, 2A, 0.25Ω, 150°C, AEC-Q101
AEC-Q101
MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 30V, 10A, 12mΩ, 150°C, AEC-Q101
MOSFET, SO-8, N+P, 30V, 6A, 25mΩ, 150°C
Commercial/Industrial
MOSFET, SOT-23, N, 60V, 0.28A, 5Ω, 150°C
Commercial/Industrial
MOSFET, SOT-323, N, 60V, 0.31A, 1.6Ω, 150°C
Commercial/Industrial
MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 100V, 2A, 0.25Ω, 150°C