GBI35M-T Diotec Semiconductor
Bridge, 1-ph, GBI, 1000V, 35A, 150°C
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Produkt-Eigenschaften
| Periodische Spitzensperrspannung | |
| VRRM | 1000 V |
| Dauergrenzstrom | |
| IFAV | 35.00 A |
| Sperrschicht Temperatur | |
| Tjmax | 150 °C |
| Sperrverzugszeit | |
| trr | ns |
| Stoßstrom | |
| IFSM | 320 A |
| Durchlass-Spannung | |
| VF | 1.10 V |
| @ IF | 17.50 A |
| Sperrstrom | |
| IR | 5.000 µA |
| @ VR | 1000 V |
| Sperrschicht Kapazität | |
| IR | 5.000 µA |
| @ VR | 1000 V |
| Datenblatt | |
|---|---|
| Bauform | |
| Verpackungseinheit | |
| Hersteller | |
| Artikeltyp |
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