Datenblatt | |
---|---|
Bauform | |
Verpackungseinheit | |
Hersteller | |
Artikeltyp |
DIW120SIC023-AQ Diotec Semiconductor
SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 130A, 1200V, 23mΩ, 175°C, AEC-Q101
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Produkt-Eigenschaften
Polarität | |
pol | N |
Drainstrom | |
ID | 130 A |
Drain-Source-Spannung | |
VDS | 1200 V |
Einschaltwiderstand | |
RDSon | 0.0230 Ω |
@ ID | 75 A |
@ VGS | 18 V |
Sperrschicht Temperatur | |
Tjmax | 175 °C |
Verlustleistung | |
Ptot | 600 W |
Drain-Spitzenstrom | |
IDM | 260 A |
Schwellspannung | |
VGSth | 3 V |
Einschaltzeit | |
ton | 0 ns |
Ausschaltzeit | |
toff | 0 ns |
Total Switching Energy | |
toff | 0 ns |
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