Datenblatt | |
---|---|
Bauform | |
Verpackungseinheit | |
Hersteller | |
Artikeltyp |
DIF120SIC053-AQ Diotec Semiconductor
SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1200V, 53mΩ, 175°C, AEC-Q101
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Produkt-Eigenschaften
Polarität | |
pol | N |
Drainstrom | |
ID | 65 A |
Drain-Source-Spannung | |
VDS | 1200 V |
Einschaltwiderstand | |
RDSon | 0.0530 Ω |
@ ID | 33 A |
@ VGS | 18 V |
Sperrschicht Temperatur | |
Tjmax | 175 °C |
Verlustleistung | |
Ptot | 278 W |
Drain-Spitzenstrom | |
IDM | 100 A |
Schwellspannung | |
VGSth | 4 V |
Einschaltzeit | |
ton | 75 ns |
Ausschaltzeit | |
toff | 41 ns |
Total Switching Energy | |
toff | 41 ns |
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