Datenblatt | |
---|---|
Bauform | |
Verpackungseinheit | |
Hersteller | |
Artikeltyp |
DI8A6C03SQ Diotec Semiconductor
MOSFET, SO-8, N+P, 30V, 8.6A, 17mΩ, 150°C
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Artikelnummer: DI8A6C03SQ
Kategorien: MOSFETs, MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
Hersteller: Diotec Semiconductor AG
Produkt-Eigenschaften
Polarität | |
pol | N+P |
Drain-Source-Spannung | |
VDS | 30 V |
Drainstrom | |
ID | 8.600 A |
Einschaltwiderstand | |
RDSon | 0.0170 Ω |
@ ID | 8.600 A |
@ VGS | 10 V |
Sperrschicht Temperatur | |
Tjmax | 150 °C |
Verlustleistung | |
Ptot | 1.600 W |
Drain-Spitzenstrom | |
IDM | 20 A |
Schwellspannung | |
VGSth | 3 V |
Einschaltzeit | |
ton | 10 ns |
Ausschaltzeit | |
ton | 10 ns |
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