DI7A6N04SQ2 Diotec Semiconductor
MOSFET, SO-8, N+N, 40V, 7.6A, 28mΩ, 150°C
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Produkt-Eigenschaften
| Polarität | |
| pol | N+N |
| Drain-Source-Spannung | |
| VDS | 40 V |
| Drainstrom | |
| ID | 7.600 A |
| Einschaltwiderstand | |
| RDSon | 0.0280 Ω |
| @ ID | 7 A |
| @ VGS | 10 V |
| Sperrschicht Temperatur | |
| Tjmax | 150 °C |
| Verlustleistung | |
| Ptot | 3.100 W |
| Drain-Spitzenstrom | |
| IDM | 50 A |
| Schwellspannung | |
| VGSth | 1.6 V |
| Einschaltzeit | |
| ton | 50 ns |
| Ausschaltzeit | |
| ton | 50 ns |
| Datenblatt | |
|---|---|
| Bauform | |
| Verpackungseinheit | |
| Hersteller | |
| Artikeltyp |
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