DI1A0N60D1-AQ Diotec Semiconductor
MOSFET, DPAK, N, 600V, 1.0A, 8.4Ω, 150°C, AEC-Q101
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Produkt-Eigenschaften
| Polarität | |
| pol | N |
| Drain-Source-Spannung | |
| VDS | 600 V |
| Drainstrom | |
| ID | 1.000 A |
| Einschaltwiderstand | |
| RDSon | 8.4000 Ω |
| @ ID | 0.500 A |
| @ VGS | 10 V |
| Sperrschicht Temperatur | |
| Tjmax | 150 °C |
| Verlustleistung | |
| Ptot | 25 W |
| Drain-Spitzenstrom | |
| IDM | 2.500 A |
| Schwellspannung | |
| VGSth | 4 V |
| Einschaltzeit | |
| ton | 22 ns |
| Ausschaltzeit | |
| ton | 22 ns |
| Datenblatt | |
|---|---|
| Verpackungseinheit | |
| Artikeltyp |
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