DI080N10PQ-AQ Diotec Semiconductor
MOSFET, PowerQFN 5×6, N, 100V, 80A, AEC-Q101
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Produkt-Eigenschaften
| Polarität | |
| pol | N |
| Drain-Source-Spannung | |
| VDS | 100 V |
| Drainstrom | |
| ID | 80.000 A |
| Einschaltwiderstand | |
| RDSon | 0.0050 Ω |
| @ ID | 50.000 A |
| @ VGS | 10 V |
| Sperrschicht Temperatur | |
| Tjmax | 175 °C |
| Verlustleistung | |
| Ptot | 60.000 W |
| Drain-Spitzenstrom | |
| IDM | 480.000 A |
| Schwellspannung | |
| VGSth | 4.0 V |
| Einschaltzeit | |
| ton | 69 ns |
| Ausschaltzeit | |
| ton | 69 ns |
| Datenblatt | |
|---|---|
| Bauform | |
| Verpackungseinheit | |
| Hersteller | |
| Artikeltyp |
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