MOSFETs – Funktion und Einsatzbereiche
MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sind spezielle Transistoren, die mit einer Spannung gesteuert werden und sich durch einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand (R_DS(on)) auszeichnen. Sie sind ideal für leistungsstarke und effiziente Schaltanwendungen.
Einsatzbereiche von MOSFETs:
- Leistungssteuerung – In Schaltnetzteilen, DC/DC-Wandlern und Motorsteuerungen.
- Hochfrequenzschaltungen – Verwendung in Verstärkern und Hochgeschwindigkeits-Schaltern.
- Schaltanwendungen in Mikrocontrollern – Steuerung von LEDs, Relais und anderen Lasten.
Es gibt zwei Haupttypen: N-Kanal-MOSFETs (häufig für Schaltanwendungen) und P-Kanal-MOSFETs (für spezielle Steuerungen). Sie bieten eine hohe Schaltgeschwindigkeit und Effizienz.
MOSFET, SOT-323, N, 60V, 0.31A, 1.6Ω, 150°C
MOSFET, SOT-323, N, 60V, 0.31A, 1.6Ω, 150°C, AEC-Q101
MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 60V, 17A,
MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 60V, 17A, 33mΩ, 175°C, AEC-Q101
MOSFET, DPAK, N, 60V, 20A, 34mΩ, 175°C, AEC-Q101
MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 45A, 6.5mΩ, 150°C
MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 100V, 45A, 6.5mΩ, 175°C, AEC-Q101
MOSFET, PowerQFN 3x3, P, -30V, -50A, 8mΩ, 150°C
MOSFET, PowerQFN 3x3, P, -30V, -50A, 8mΩ, 150°C, AEC-Q101
SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1200V, 53mΩ, 175°C
SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1200V, 53mΩ, 175°C, AEC-Q101
SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 65A, 1200V, 53mΩ, 175°C, AEC-Q101
MOSFET, SOT-23, N, 60V, 0.3A, 2Ω, 150°C, AEC-Q101
MOSFET, SOT-23, N, 100V, 2A, 0.32Ω, 150°C
MOSFET, SOT-26, N, 60V, 0.35A, 1.5Ω, 150°C
MOSFET, SOT-26, N, 60V, 0.35A, 1.5Ω, 150°C, AEC-Q101
MOSFET, SOT-23, P, -40V, -4.2A, 97mΩ, 150°C, AEC-Q101