MOSFETs – Funktion und Einsatzbereiche
MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sind spezielle Transistoren, die mit einer Spannung gesteuert werden und sich durch einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand (R_DS(on)) auszeichnen. Sie sind ideal für leistungsstarke und effiziente Schaltanwendungen.
Einsatzbereiche von MOSFETs:
- Leistungssteuerung – In Schaltnetzteilen, DC/DC-Wandlern und Motorsteuerungen.
- Hochfrequenzschaltungen – Verwendung in Verstärkern und Hochgeschwindigkeits-Schaltern.
- Schaltanwendungen in Mikrocontrollern – Steuerung von LEDs, Relais und anderen Lasten.
Es gibt zwei Haupttypen: N-Kanal-MOSFETs (häufig für Schaltanwendungen) und P-Kanal-MOSFETs (für spezielle Steuerungen). Sie bieten eine hohe Schaltgeschwindigkeit und Effizienz.
MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 60V, 4A, 57mΩ, 150°C
MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 60V, 4A, 57mΩ, 150°C, AEC-Q101
MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 100V, 35A, 14mΩ, 150°C
MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 100V, 35A, 14mΩ, 150°C, AEC-Q101
MOSFET, DPAK, N, 100V, 40A, 15mΩ, 175°C
MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 45V, 45A, 8.5mΩ, 150°C, AEC-Q101
MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 45V, 45A, 8.5mΩ, 150°C, AEC-Q101
MOSFET, DPAK, N, 60V, 50A, 8.5mΩ, 150°C
MOSFET, DPAK, N, 60V, 50A, 8.5mΩ, 150°C, AEC-Q101
SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3mΩ, 175°C
SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3mΩ, 175°C, AEC-Q101
MOSFET, TO-220AB, N, 65V, 90A, 5.7mΩ, 175°C
MOSFET, SOT-363, N+N, 60V, 0.3A, 3Ω, 150°C
MOSFET, SOT-363, N+N, 60V, 0.3A, 3Ω, 150°C, AEC-Q101
MOSFET, SOT-323, N, 60V, 0.3A, 1.6Ω, 150°C, AEC-Q101
MOSFET, SOT-23, N, 100V, 0.17A, 6Ω, 150°C
MOSFET, SOT-23, P, -30V, -2.6A, 90mΩ, 150°C, AEC-Q101
MOSFET, SOT-26, P, -20V, -2.3A, 0.115Ω, 150°C