MOSFETs – Funktion und Einsatzbereiche

MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sind spezielle Transistoren, die mit einer Spannung gesteuert werden und sich durch einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand (R_DS(on)) auszeichnen. Sie sind ideal für leistungsstarke und effiziente Schaltanwendungen.

Einsatzbereiche von MOSFETs:

  • Leistungssteuerung – In Schaltnetzteilen, DC/DC-Wandlern und Motorsteuerungen.
  • Hochfrequenzschaltungen – Verwendung in Verstärkern und Hochgeschwindigkeits-Schaltern.
  • Schaltanwendungen in Mikrocontrollern – Steuerung von LEDs, Relais und anderen Lasten.

Es gibt zwei Haupttypen: N-Kanal-MOSFETs (häufig für Schaltanwendungen) und P-Kanal-MOSFETs (für spezielle Steuerungen). Sie bieten eine hohe Schaltgeschwindigkeit und Effizienz.

1.065,50  VPE 5000 Stück

zzgl. 19% MwSt.
(0,2131  / 1 Stück)
zzgl. Versand

MOSFET, PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 60V, 16A, 33mΩ, 150°C, AEC-Q101

558,00  VPE 5000 Stück

zzgl. 19% MwSt.
(0,1116  / 1 Stück)
zzgl. Versand

MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 60V, 17A,

664,50  VPE 5000 Stück

zzgl. 19% MwSt.
(0,1329  / 1 Stück)
zzgl. Versand

MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 60V, 17A, 33mΩ, 175°C, AEC-Q101

381,25  VPE 2500 Stück

zzgl. 19% MwSt.
(0,1525  / 1 Stück)
zzgl. Versand

MOSFET, DPAK, N, 60V, 20A, 34mΩ, 175°C, AEC-Q101

397,00  VPE 5000 Stück

zzgl. 19% MwSt.
(0,0794  / 1 Stück)
zzgl. Versand

MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 30V, 40A, 6mΩ, 175°C

468,00  VPE 5000 Stück

zzgl. 19% MwSt.
(0,0936  / 1 Stück)
zzgl. Versand

MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 30V, 40A, 7mΩ, 175°C, AEC-Q101

944,50  VPE 5000 Stück

zzgl. 19% MwSt.
(0,1889  / 1 Stück)
zzgl. Versand

MOSFET, PowerQFN 3x3, P, -20V, -50A, 10mΩ, 150°C

944,75  VPE 2500 Stück

zzgl. 19% MwSt.
(0,3779  / 1 Stück)
zzgl. Versand

MOSFET, DPAK, N, 100V, 54A, 9.5mΩ, 150°C

1.119,50  VPE 2500 Stück

zzgl. 19% MwSt.
(0,4478  / 1 Stück)
zzgl. Versand

MOSFET, DPAK, N, 100V, 54A, 9.5mΩ, 150°C, AEC-Q101

1.417,25  VPE 2500 Stück

zzgl. 19% MwSt.
(0,5669  / 1 Stück)
zzgl. Versand

MOSFET, DPAK, N, 100V, 60A, 8.5mΩ, 150°C