MOSFETs – Funktion und Einsatzbereiche
MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sind spezielle Transistoren, die mit einer Spannung gesteuert werden und sich durch einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand (R_DS(on)) auszeichnen. Sie sind ideal für leistungsstarke und effiziente Schaltanwendungen.
Einsatzbereiche von MOSFETs:
- Leistungssteuerung – In Schaltnetzteilen, DC/DC-Wandlern und Motorsteuerungen.
- Hochfrequenzschaltungen – Verwendung in Verstärkern und Hochgeschwindigkeits-Schaltern.
- Schaltanwendungen in Mikrocontrollern – Steuerung von LEDs, Relais und anderen Lasten.
Es gibt zwei Haupttypen: N-Kanal-MOSFETs (häufig für Schaltanwendungen) und P-Kanal-MOSFETs (für spezielle Steuerungen). Sie bieten eine hohe Schaltgeschwindigkeit und Effizienz.
MOSFETs
MOSFET, PowerQFN 2x2, P, -40V, -5.4A, 40mΩ, 150°C
MOSFET, PowerQFN 2x2, P, -40V, -5.4A, 40mΩ, 150°C, AEC-Q101
MOSFET, PowerQFN 3x3, P+P, -30V, -17A, 30mΩ, 175°C, AEC-Q101
MOSFETs
MOSFET, PowerQFN 3x3-Dual, N+P, 30V, -18A, 30mΩ, 150°C
MOSFETs
MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 100V, 35A, 14mΩ, 150°C
MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 100V, 35A, 14mΩ, 150°C, AEC-Q101
MOSFET, PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 60V, 50A, 8.5mΩ, 175°C, AEC-Q101
MOSFETs
MOSFET, D2PAK-7L, N, 40V, 330A, 0.8mΩ, 175°C
SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3mΩ, 175°C
SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3mΩ, 175°C, AEC-Q101
MOSFETs
MOSFET, SOT-26, P, -60V, -3.1A, 85mΩ, 150°C
MOSFETs
MOSFET, SOT-26, P, -60V, -3.1A, 85mΩ, 150°C, AEC-Q101
MOSFET, SOT-23, N, 30V, 4.2A, 42mΩ, 150°C
MOSFETs
MOSFET, SOT-363, P, -30V, -5A, 59mΩ, 150°C